东芝、Hynix NAND Flash专利诉讼和解

2007-03-27
  东芝与韩国Hynix的半导体专利争讼,近日已达成和解协议。争议虽曾一度扩大至日美两地,但在此次和解后,两家公司已决定签订交叉授权合约,今后将可交互使用彼此拥有的专利。

  双方过去争讼的对象,为主要用于记忆卡或MP3随身听的NAND型快闪记忆体。东芝于2004年11月,主张该公司拥有的电路结构专利遭受侵害,因而针对Hynix的日、美法人,分别向当地的法院提出专利侵权告诉,要求对方停止销售行为,并支付损害赔偿。2006年3月东京地院判决东芝胜诉,Hynix一方面提出上诉,一方面也朝向和解持续进行协商。

  东芝今后将可自Hynix取得专利授权的使用费,金额则未公布。

 

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