记忆体侵权案又一桩 飞思卡尔控告茂德

2006-12-13
　　据报道，总部位于美国德州的半导体大厂飞思卡尔（Freescale）近日向美国德州Sherman联邦法院控告台湾第三大DRAM厂商茂德侵犯飞思卡尔3项专利权，并提出现金赔偿要求，对此,茂德表示,尚未收到飞思卡尔的行文通知，待接获后将做进一步处理，目前不予置评。

　　飞思卡尔要求法院下令禁止茂德使用这些受专利保护的技术，并希望能获得现金赔偿，但实际要求金额尚未确定。飞思卡尔指控茂德侵犯的美国专利权编号为USP5,367,494、USP5,467,455、与USP5,476,816，分别是和记忆体存取时间、记忆体资料处理系统与动态汇流排，以及和记忆体晶片生产用金属层侵蚀相关的专利权技术。

　　近来有关记忆体厂侵权的案件有增多的情况，连韩厂三星电子（Samsung Electronics）也被美国半导体厂On Semiconductor在德州联邦法院指控侵犯专利技术，加拿大IC设计业者也指控美光（Micron）、力晶、茂德、茂矽等厂商侵权。

　

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